yuri999 пишет:
У вас база транзистора, по переменке, "изолирована" от всего. С1 слишком мало. Попробуйте увеличить С1 до 1 мКф. И еще - увеличьте индуктивность контура и уменьшите емкость контура. 30 мкГ и 100п это частота резонанса около 92 кГц. Попробуйте 300 мкГ и 10п.
База связана через кондер с эмитером, типо пишут классическая емкостная трехточка. Контур не хотелось бы так сильно менять, задача стоит как раз держать в резонансе контур с ёмкостью 0,01-0,1микрофарад с индуктивностью до 30 микрогенри. Я с видео пример взял, но попытался со своими параметрами контура.
Замена С1 на 1микрофарад не повлияла.
Что добавить чтоб связать базу получше с переменкой? Или может есть проще схема, типо качера бровина, только для контура лс и обязательно на емкостной обратной связи?