ТЕМА:

Extint Spin пишет:

авангард пишет: Extint Spin интересное решение. Но есть в ней затык акб будет умирать медленно но уверенно. Причина самоиндукция индуктора на минусе акб.

эта проблема решаема. Заменить акб ба-альшущей емкостью с параллельным диодом, а минус акб подключить на емкость через дроссель

симулировал раскачку внешнего контура
если качать в такт контура, удар приходится на спад тока в линии, хотя нужно еще раз перепроверить, может просто фазы разошлись, однако, графики показали бы биение, а их не было
все равно, наверное частоту контура нужно брать раза в два выше частоты накачки, но тут потеря в токе произойдет - клебания все-таки затухающие....

Да тут вы правы акб можно зашунтировать диодом.

У-уххх! Кнопка удальть тему рядом с Ответить. Хорошо что восстановить можно!
Вообще, день знАковый. Пока размещал описание схемы на работе, два раза эл-во отрубалось. Случай небывалый!
И это на предприятии...
.....
Идея с динистором понравилась.
L2 великовата проявится ли эффект?
L1 с таким значением киловольт выдаст. Элементы потянут?

В целом из схемы можно сделать зарядку для АКБ, убрав или зашунтировав нагрузку

Помнится, Расаветра в итоге избавился от генератора, используя что-то типа блокинга

По линии я солидарен с Филлипом, нужно использовать не круглую катушку, а квадратный контур по стенкам корпуса

авангард, как по Вашему - "доска Дональда Смитта" на этом же принципе работает?

жмелик пишет:

зависимость эффекта от диаметра провода индуктивности
- т.е. чем больше - тем лучше? Или как-то иначе? - - Да, Чем больше диаметр провода тем лучше.
подключая к "разгонной" индуктивности нагрузку мы сводим все наши усилия к нулю
- Что вы подразумеваете под "разгонной индуктивностью"? Некую отдельную катушку по схеме РВ? Или просто сам индуктор. - вторичку импульсного тр-ра (использую для суммирования ЭДС самоиндукции и проходящего через неё тока)
Есс-но подключать нагрузку непосредственно к индуктору несколько неразумно. - Я имел ввиду вторричку.
Использовал в своих схемах импульсные повышающие тр-ры различные
- какова цель их использования и как они подключались к схеме? - Собственно уже описал выше. Схемы могут быть различные. Цель: воздействие импульса ЭДС самоиндукции на ток в индуктивности. (Личное моё мнение.)

авангард пишит:"dozor vd4 зачем?"

Что бы никто не догадался! - шутка конечно. А реально я его поставил для подзаряда АКБ однонаправленными импульсами ОЭДС.

Хочу ещё добавить. У меня импульс ЭДС создавала вторичка импульсного тр-ра и сложение происходило то-же в ней. Может быть по этой причине ,а может не совсем, но у меня сложилось такое мнение: "разгон" происходит как бы вакуумом электричества в индуктивности. Идёт всасывание зарядов из внешней цепи. Т.е. я хочу сказать, что к этому импульсу ЭДС самоиндукции нужно присмотреться и правильно его включить (момент подключения к цепи и его полярность). С ув.

жмелик пишет: .. у меня сложилось такое мнение: "разгон" происходит как бы вакуумом электричества в индуктивности. Идёт всасывание зарядов из внешней цепи. ..

Уважаемый жмелик, спасибо вам за интересную информацию. Ваши выкладки совпадают с моими предположениями. Может вы делали видео по вашим опытам? Если это возможно, было -бы очень интересно его посмотреть.
Спасибо.
С ув

Roman пишет: авангард, как по Вашему - "доска Дональда Смитта" на этом же принципе работает?

Почти тот же, у Смита работа со средой а именно воздействия на среду потенциалом выше уровня заряда среды. А в данном варианте мы воздействуем на проводник не потенциалом а током для возбуждения среды самого проводника.

Нередкий случай в линиях

Помогите запустить блокинг-генератор в таком конструктиве:

Ключ обязательно NPN, его закрытие должно быть резким, для получение ОЭДС на нижней катушке.
Автозапуск не принципиален, можно с "тычка".

Или добавить один PNP транзистор и сделать несимметричный мультивибратор.

user_bad пишет: Или добавить один PNP транзистор и сделать несимметричный мультивибратор.

покажите...

блокинг дает короткие импульсы, здесь пошире будет R и С с звездочкой частоту можно менять.

Не квадрат, не разобрался как запустить предложенное вами решение.
user_bad, такое решение не подойдет, у меня ключ сверху индуктора.

Остановился на таком варианте:

Голубой тренд - напряжение на базе относительно эмитера, остальные тренды токовые, подписаны.
Частота внешнего контура 217кГц, ключ отрабатывает в два раза реже.
Пока готовлю конструкцию, отрабатываю схему в симуляции.
Заморачиваюсь с NPN потому что имею КТ926, но что-то мне не нравится как работает схема, вероятно вернусь к NMOS.